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快科技10月19日消息，三星目前正在加快開發(fā)第五代HBM3e“Shinebolt”。

經(jīng)初步測試，“Shinebolt”的最大數(shù)據(jù)傳輸速度將比上一代有所提升，預計將達到1.228TB/s，比SK海力士的HBM3e（最大數(shù)據(jù)傳輸速度為1.15TB/s）更快。

同時“Shinebolt”還采用了最新的12層垂直堆疊方案，能夠在單個HBM3e封裝上實現(xiàn)高達36GB的容量，而原型版本使用的8層堆疊方案僅實現(xiàn)了24GB的容量。

據(jù)悉，HBM（High Bandwidth Memory）屬于垂直連接多個DRAM，與DRAM相比顯著提升數(shù)據(jù)處理速度的高附加值、高性能產(chǎn)品。

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