據中國科學院上海微系統與信息技術研究所 消息,該所研究員宋志棠、王浩敏組成聯合研究團隊,首次采用GNR邊緣接觸制備出目前世界上最小尺寸的相變存儲單元器件。
7月18日,相關研究成果以《通過石墨烯納米帶邊界接觸實現相變存儲器編程功耗最小化》(Minimizing the programming power of phase change memory by using graphene nanoribbon edge-contact)為題,在線發表在《先進科學》上。
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據了解,當今數據生產呈現爆炸式增長,傳統的馮·諾依曼計算架構已成為未來繼續提升計算系統性能的主要技術障礙。
而相變隨機存取存儲器(PCRAM)可以結合存儲和計算功能,是突破馮·諾依曼計算構架瓶頸的理想路徑選擇。