DDR5內(nèi)存都來了，DDR3內(nèi)存是不是要徹底退出歷史舞臺(tái)了?那得看什么應(yīng)用場(chǎng)景。

華邦電子今日宣布，將在未來10多年內(nèi)繼續(xù)供應(yīng)DDR3 DRAM內(nèi)存芯片產(chǎn)品，并且會(huì)持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，以確保滿足客戶的長(zhǎng)期使用需求。

目前，DDR3出貨量占華邦DRAM總收入的30%，預(yù)計(jì)到2024年將增加至50%。

華邦DDR3 DRAM內(nèi)存主要是單顆1Gb、4Gb容量，只需1.35V電壓，就可以提供2133Mbps的數(shù)據(jù)傳輸率(DDR3-2133)，并且與1.5V DDR3 100%兼容。

華邦還透露，位于臺(tái)灣高雄的新建晶圓廠將于2022年第四季度啟用，采用更先進(jìn)的制造技術(shù)，提升產(chǎn)能。

除了DDR3，華邦DRAM內(nèi)存產(chǎn)品還包括：128Mb-2Gb DDR2、512Mb-2Gb LPDDR2、LPDDR4x、LPDDR3、LPDDR、SDRAM。

它們普遍適用于需求4Gb或更少內(nèi)存的應(yīng)用， 如人工智能加速器、物聯(lián)網(wǎng)、汽車、工業(yè)用、電信、Wi-Fi 6、Wi-Fi 6E、xDSL、光纖網(wǎng)絡(luò)、智能電視、機(jī)頂盒、IP攝像頭等。

關(guān)鍵詞： DDR5內(nèi)存 華邦電子 芯片產(chǎn)品 持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)